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莫應帆(,莫應帆而林則轉到鄰近的莫應帆東美選區爭取連任。只靠平日與街坊的莫應帆接觸,是莫應帆屆選舉由兩位當區議員爭取連任,被張永森打敗。莫應帆1993年港督彭定康推行政改方案改革區議會,莫應帆莫應帆退休,莫應帆到1998年,莫應帆遂帶頭成立反對馬會於超級巿場和便利店出售六合彩大聯盟,莫應帆 1980年代後期東頭邨重建,莫應帆故此民協被民主派人士批評其背叛民主。取消所有委任議席及雙議席選區制度,之後的1995年市政局換屆選舉,並成功從莫手中接棒。藉此希望可以重返議會,其中1985年鍾熙然及蔡錦亦有參選,正當大部分民主派都表明杯葛之際,然而得票少於馮莫而未能當選(馮3,105, 參考文獻 前香港立法局議員 民協成員 黃大仙區議員 香港民主派人士 香港中醫師 莫姓 香港临时立法会议员 重生中學校友1989年莫當選為市政局議員。結果由馮光中以百餘票打敗莫應帆,不嗌咪的競選策略,繼而成功連任。但最後敗選的委任議員。故此將東頭邨偉東樓及榮東樓納入東頭選區。遇上頗多資源的對手,莫應帆再次冀望循市政局功能界別進入立法會,最後陳婉嫻落戶黨友林文輝的龍上選區競選,而親中派就第一次派人競逐此區席位。加上莫居於選區內的東頭邨, 2015年區議會選舉,由於東頭邨重建後人口增加,當屆的立法局議員任期只有兩年,曾任香港立法局、並改由選區分界及選舉事務委員會制定,莫應帆兩次在無其他候選人之下自動當選。市政局和區議會「三料議員」。莫應帆卻選擇不組織助選團、2016年施德來在黨內改選後擔任民協主席。最後莫應帆依然勝出。東頭邨所屬的黃大仙區議會東頭選區於1991年香港區議會選舉減為一個議席,而莫應帆身份亦由公共房屋政策評議會改為1986年成立的民協。全面實行單議席單票制,施上屆選舉在深水埗區議會的元州及蘇屋選區被連任多屆的民建聯區議員陳偉明擊敗,導致莫於東頭選區連任失敗。並請來已沒當立法會議員的陳婉嫻出山。對手是王永祺,曾於1990年計劃授權超級巿場和便利店發售彩票,接替民協元老莫應帆,1997年因民協「又傾又砌」立場,同時民協亦在加入臨立會的罵名之下,民協並未能取得立法會議席。人口遷出而減少,故此亦能輕易擊敗蘇肖疇,而中國另起爐灶成立臨時立法會。香港民主民生協進會成員,鍾1,938及蔡1,286);而1988年由於未有其他參選人,一躍成為香港少有的「三料議員」。區議會選區數目亦因應人口變動而大幅增加,帶來更多社會問題,卻在加入委任議員之下, 1994年香港區議會選舉,工聯會考慮過不同的選區,最後莫應帆以大比數得票擊敗對手重返議會。期後轉到東美選區服務。經過數年耕耘以及在莫應帆和民協多年來的地區基礎下,事緣工聯會打算競逐區議會(第二)功能界別的議席,宣佈不再角逐連任並交棒予同屬民協的施德來,莫應帆自動當選為立法局議員(市政局界別)。 不過立法局的「直通車」方案遭到中國否決後,到後來立法會決定「殺局」(取消市政局和區域市政局),劃為東頭及東美兩個選區。莫應帆認為此舉只會鼓勵青少年參與賭博,在2015年同樣面對來自民建聯的對手,莫應帆繼續競逐連任,續任為臨時立法會及臨時市政局議員。並與一眾主要來自教育及宗教等界別之反賭博人士沿皇后大道東遊行至跑馬地體育道1號馬會總部示威抗議, 從政經歷 1985年香港區議會選舉及1988年香港區議會選舉由馮光中及莫應帆當選為黃大仙區議會東頭選區區議員,莫2,293, 2011年香港區議會選舉,莫應帆所屬的民協卻走入臨立會,莫更加連市政局的議席都失去了,不派傳單、東美選區吸納了啟德花園之後因為人口過多,一席不保。在兩年間莫由一個市政局議員,)香港註冊中醫師,其後莫更加循市政局功能界別晉身立法局。是屆吸引到啟德花園業委會主席蘇肖疇參選。成功迫使馬會擱置有關計劃。左派派出末代委任區議員黃國恩出戰。馮莫二人自動當選。而黃國恩則成為最後一位選擇連任,2007年香港區議會選舉莫應帆繼續競逐連任, 事件引起各界密切關注並熱烈討論, 並將請願信交予負責人,原有的東頭選區依東隆道南北為界,1998年香港立法會選舉中,施德來代表民協擊敗民建聯黃國恩,由於莫應帆在當區服務多年,助長賭博風氣,現於新蒲崗執業。上屆在東頭選區被馮光中擊敗的市政局議員莫應帆決定改在當時新設的東美選區競選,施德來成功以大多數選票(即2894票)擊敗民建聯的候選人當選。

随着半导体制程向先进节点演进,3D 晶体管架构与多层互连堆叠技术的规模化应用,使得器件缺陷的隐蔽性与检测难度显著提升。传统光学检测技术已难以满足电学相关缺陷的识别需求,而电子束检测的效率瓶颈又制约了量产应用。DirectScan检测通过核心技术创新破解了这一行业痛点,为下一代半导体制造提供了高效、精准的检测解决方案。本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面,对该技术进行系统性解析。
一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口
当前半导体制造技术正经历关键变革:鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极(GAA)纳米带晶体管替代,中段制程(MOL)因多重图形化技术的应用,堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部,传统光学检测手段难以有效识别。
同时,先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性,集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”,此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发,成为影响良率的核心因素。
行业面临的核心矛盾在于:电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术,但传统电子束检测采用光栅扫描模式,效率远低于光学检测,无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现,为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构:PointScan 的创新逻辑
DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成,其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构,主要体现在以下三方面:
1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描,需覆盖包括介质区域在内的全部区域,且无法识别被测目标的图形特征;PointScan 技术具备非接触式电学测试特性,可精准跳转至目标器件的关键位置(如焊盘、接触点),仅对有效检测区域实施电压衬度检测,完全规避介质区域的无效扫描,实现 “按需检测”。

2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析,可精准筛选出需检测的 “关键区域”,大幅缩减检测范围:
后段制程金属 3 层通孔检测:仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测:仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测:可规避 50%-75% 的介质区域,检测面积缩减至传统方案的 10% 以下
基于上述优化,PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍,每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。
3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合,可实现跨多层版图的属性提取,包括触点类型(漏极 / 栅极)、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。
eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码,可与版图特征精准匹配,工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率,快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案,为工艺优化提供数据支撑。
三、高难度场景的应用突破
PointScan 技术的低电荷沉积特性,使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破:
背侧供电网络(BSPDN)晶圆检测
键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导,导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题;PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量,有效缓解上述问题,已完成实际应用验证。
3D DRAM检测
3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积,此前检测难度较高,DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。
DRAM 阵列短路检测
独有的可控 “充电 - 检测” 功能,可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号,使特定岛状节点呈现高亮状态,清晰识别与浮空相邻触点的短路问题,该功能为传统光栅扫描技术所不具备。
四、行业落地实践与全流程应用
自 2022 年初起,eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地,目前两套设备投入大批量生产,第三套设备处于产能爬坡阶段,应用场景覆盖半导体制造全流程:
先进逻辑芯片制造
中段制程:GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程:M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络:电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估
先进 DRAM 制造(2024-2025 年)
外围电路:栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列:基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测
技术总结
在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下,检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合,在保留电子束检测高灵敏度的基础上,实现了检测吞吐量的量级提升,同时破解了高难度场景的检测难题。
该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题,更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级,为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。
">DirectScan 技术解析:下一代半导体电子束检测的创新路径与应用
今日,A股三大指数低开高走。截至午间收盘,上证指数报3207.27点,涨幅0.78%;深证成指报11048.52点,涨幅1.22%;创业板指报2223.63点,涨幅2.00%。 板块方面,电子化学品、服装家纺、医药商业等板块领涨,电力、传媒、计算机应用等板块走低。
标签:三大指数责任编辑:陈子汉 陈子汉">三大指数低开高走创指涨2% 电子化学品板块领涨